目前國內(nèi)氧化物薄膜材料的制備方法和技術(shù)有很多，其中主要的方法有脈沖激光沉積、磁控濺射、電子束蒸發(fā)、分子束外延等物理方法以及化學氣相沉積、溶膠-凝膠、噴霧熱解等化學方法。在這些制備技術(shù)中，磁控濺射鍍膜技術(shù)具有易于大面積鍍膜、工業(yè)化生產(chǎn)以及薄膜品質(zhì)、成分、結(jié)構(gòu)、均勻性等易于調(diào)控的優(yōu)勢，是產(chǎn)業(yè)化制備氧化物薄膜材料的重要方法之一以該方法制備的氧化物薄膜材料在液晶面板、觸摸屏、薄膜太陽能電池、發(fā)光二極管等產(chǎn)業(yè)上獲得了廣泛應用。硅材料因?qū)щ娐什患敖饘伲译S溫度升高而增加，因而具有半導體性質(zhì)。微電子領(lǐng)域?qū)Π胁臑R射薄膜的品質(zhì)和電阻要求是相當苛刻的。硅片制造商對靶材的要求是大尺寸、高純度、低偏析和細晶粒，這就要求所制造的靶材具有更好的微觀結(jié)構(gòu)。       電阻率是硅靶材產(chǎn)品的重要參數(shù)之一，除特殊用途外，絕大多數(shù)硅靶材電阻率要求越低越好，開始應用時電阻率要求在0.1-0.5Ω·cm范圍內(nèi)，逐漸降低至小于0.1Ω·cm，目前標準電阻率為0.02-0.04Ω·cm。為克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，UVTM的研發(fā)人員開發(fā)了一種超低阻硅靶材，在硅材料中摻入處理過的高硼含量母合金，使硅靶材的電阻率小于0.01Ω·cm。純度大于5N，且致密度大于99％。傳統(tǒng)的覆于電子產(chǎn)品玻璃面板表面的黑化膜對光的反射強。目前噴涂旋轉(zhuǎn)靶材在日新月異的發(fā)展中，在噴涂旋轉(zhuǎn)靶材時必須要用到旋轉(zhuǎn)接頭，目前旋轉(zhuǎn)接頭的設(shè)計各式各樣，但都存在旋轉(zhuǎn)接頭不能承受軸向力，或徑向力，致使在噴涂作業(yè)過程中旋轉(zhuǎn)接頭容易損壞。       且旋轉(zhuǎn)接頭的設(shè)計為一體式的，在內(nèi)部軸承或油封出現(xiàn)問題需要更換時拆裝復雜，不易維修。因此，解決噴涂旋轉(zhuǎn)靶材時旋轉(zhuǎn)接頭容易損壞及不易維修的問題就顯得尤為重要了。N型電池的大規(guī)模量產(chǎn)正逐漸興起，增長迅速，據(jù)第三方機構(gòu)ITRPV市場分析預測N型單晶電池產(chǎn)品的產(chǎn)量將持續(xù)增加，至2027年達到25%的份額。“PERC技術(shù)是基于現(xiàn)有產(chǎn)線，只增加沉積背面鈍化層和背面激光開槽兩道過程。而將全覆蓋的背鋁更改為局部鋁柵線，可獲得雙面PERC電池，背面使用低成本的鋁柵線且沒有背部擴散工藝，就可以實現(xiàn)65%以上的雙面率。”前段，隆基樂葉宣布其單晶PERC電池轉(zhuǎn)換效率達到23.26%，效率提升超過行業(yè)預期，成為行業(yè)爭相擴產(chǎn)的技術(shù)之一。       到2018年大部分國家靶材市場空間達到983億元，超越大部分國家金屬鈷和碳酸鋰合計941億元的市場，未來潛力巨大。高純金和高純銀因具有接觸電阻小，熱阻低，熱效應力小和可靠性高等優(yōu)點，其靶材材料廣泛應用于背面金屬化系統(tǒng)、汽車工業(yè)、高溫材料和生物醫(yī)學中。“半導體器件用鎳鉑靶材的制備關(guān)鍵技術(shù)及產(chǎn)業(yè)化”取得重大打破，建立了生產(chǎn)線并取得良好經(jīng)濟效益，鎳鉑靶材替代了****產(chǎn)品并遠銷海外。國內(nèi)靶材等半導體材料的帶領(lǐng)者企業(yè)，實現(xiàn)了高純金屬、靶材一體化運營，在高純金屬、銅靶材、鈷靶材等產(chǎn)品上實現(xiàn)了技術(shù)打破。并成功進入到國外集成電路企業(yè)的供應鏈。金屬鋁靶材Al，金屬銻靶材，金屬鉍靶材Bi，金屬鎘靶材Cd，硼靶材B，碳靶材C，石墨靶材C。       濺射靶材市場依然被美國、日本的濺射靶材生產(chǎn)廠商所控制或壟斷。隨著濺射靶材朝著更高純度、更大尺寸的方向發(fā)展。不斷進行研發(fā)創(chuàng)新。靶材產(chǎn)品包括鋁及其合金靶材、鈦靶、銅靶、鉭靶等。尤特新材料（UVTM）是國家高新技術(shù)企業(yè)，公司成立于二00三年，專業(yè)從事信息、鍍膜、太陽能材料的科研與生產(chǎn)。公司從德國、日本、引進先進的生產(chǎn)、檢測設(shè)備和專業(yè)人才。目前，靶材的國產(chǎn)化進程面臨著高等技術(shù)封鎖難題。且技術(shù)難以實現(xiàn)系統(tǒng)打破，過程還需要多個學科的知識和經(jīng)驗的同時積累，產(chǎn)業(yè)需要協(xié)同發(fā)展。中國集成電路材料現(xiàn)狀如何？靶材是薄膜制備的關(guān)鍵原料之一，半導體在靶材應用中約占10%。2016年靶材市場增速達到20%，2017年-2019年仍將保持復合增速13%。       尤其適用于和氧化物靶材。真空蒸發(fā)鍍膜系統(tǒng)一般由三個部分組成:真空室、蒸發(fā)源或蒸發(fā)加熱裝置、放置基板及給基板加熱裝置。在真空中為了蒸發(fā)待沉積的材料，需要容器來支撐或盛裝蒸發(fā)物，同時需要提供蒸發(fā)熱使蒸發(fā)物達到足夠高的溫度以產(chǎn)生所需的蒸汽壓。圖：真空蒸發(fā)鍍膜工作原理示意圖真空蒸發(fā)鍍膜技術(shù)具有簡單便利、操作方便、成膜速度快等特點，是應用廣泛的鍍膜技術(shù)，主要應用于光學元器件、LED、平板顯示和半導體分立器的鍍膜。光學器件應用范圍非常廣泛，主要包括智能手機、車載鏡頭、安防監(jiān)控設(shè)備、數(shù)碼相機、光碟機、投影機等，元器件及光學鏡頭。我國濺射靶材研發(fā)生產(chǎn)技術(shù)還存在一定差距，市場影響力相對有限，尤其在半導體芯片、平板顯示器、太陽能電池等領(lǐng)域。